型号：Raith150
一.主要技术指标：
1. 加速电压：0.2-30kV;
2. SEM分辨率：2 nm;
3. 最小线宽：20 nm;
4. 拼接精度：30 nm;
5. 样品台：最大4英寸
二. 主要功能：
采用电子束直写的方法制作纳米图形结构，用于各种微纳器件和纳米人工结构的制作。应用于微纳米材料加工领域。
