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江潮 男，1965年1月生。现为国家纳米科学中心研究员，中国科学院“百人计划”择优支持入选者,南京理工大学兼职教授，《微纳电子技术》杂志编委。1986年毕业于北京大学物理系，获学士学位。1989年和1998年分别获中国科学院物理研究所和半导体研究所理学硕士和工学博士学位。曾于1998年7月至2005年12月先后在日本北海道大学量子集成电子学研究中心和东京大学生产技术研究所从事博士后研究。曾获日本国文部省外国人（JSPS）特别研究基金资助。
以往的研究经历和主要成果包括：化合物半导体分子束外延（MBE）材料生长和相关器件制备。特别是研究了与GaSb基半导体量子点（Quantum Dot）相关的外延生长，物理光学性质和输运特性。并应用分子束外延的方法实现了非平面条纹图形衬底的选择外延生长原子平滑的高质量脊型量子线及其相关物性的研究。近年已在国际科技期刊上发表SCI收录文章四十余篇。
目前主要研究方向为：1.新型纳米结构及半导体异质结构物理性质与器件研究；2.微纳米半导体结构的光学表征与计量；3.有机薄膜半导体光电器件和大面积柔性电子器件和电路集成研究。
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