陈宝钦

1966年9月毕业于北京大学物理系半导体专业；1968年7月中国科学院半导体研究所工作；　　1985年9月中国科学院微电子研究所工作；兼职中国科学院研究生院教授，中国电子学会高级会员，北京半导体专业委员会委员、制版分会主任，全国半导体设备与材料标准化技术委员会副主任委员、微光刻分委会主任委员，全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组副秘书长，光学微细加工国家重点实验室学术委员会副主任委员。

微电子学与固体电子学/微细加工与新型纳米器件集成

（1）在1979年、1981年获中国科学院重大科技成果一等奖的大规模集成电路研究中负责主持光掩模制作技术的研究；（2）1982年被中国科学院授予先进工作者称号，1990年、1992年被中共中央国家机关工委授予中央国家机关优秀共产党员称号，1992年被国务院电子办授予全国电子信息应用先进工作者称号，获国务院政府特殊津贴；（3）1991年在荣获国家科技进步特等奖的北京正负电子对撞机建设中做出了成绩，受到国务院总理签署的表彰；（4）在参加的其他各项科研活动获多项科技奖，并分别于1991年至2007年先后获航天部、北京市和中国科学院科技进步奖一等奖两项、二等奖六项、国家科技进步奖三等奖一项和国家技术发明奖二等奖一项。

从事大规模及超大规模集成电路掩模制作技术开发与研究，创造性地开发了缩微掩模图形合成技术、光学亚微米微细加工技术和微光刻图形图形数据处理与数据格式转换技术，为我国大规模、超大规模集成电路及相关微细加工领域科研攻关及生产开发作出重要贡献。
　　从七十年代中期开始我国开展大规模及超大规模集成电路研究工作，在王守武院士和林兰英院士指导下、吴德馨院士主持的4096位 及16K位MOS动态随机存贮器的研制攻关项目，负责光掩模制作技术的研究。
于1991年～2004年参加中科院长春光机所的 863智能机器工程和光学微细加工技术国家重点实验室的国家自然科学基金等项目研究工作。
“八.五” 期间负责中国科学院重点科研应用研究项目 "移相掩模设计与制造技术的研究" 课题研究; 并参加国家基础性研究重大关键项目 (攀登计划) "深亚微米结构器件和介观物理" 课题研究工作，负责子课题 "移相掩模远紫外曝光技术"研究;参加国家 “八五” 攻关专题 “超大规模集成电路基础工艺”的研究工作，负责子专题 “移相掩模光刻技术"”的研究。
“九.五”计划期间参加国家重点科技攻关计划 “0.1～0.35 微米集成电路关键技术"”研究项目，负责“电子束曝光技术研究”专题研究工作。
　“十.五”计划期间继续参加国家科技攻关计划任务：包括国家高技术研究发展计划（863计划）项目 “100nm步进扫描投影光刻机移相掩模分系统”和 “新一代无线通讯用SAW器件及材料研究”；国家973项目 “20-50nm CMOS器件基础研究中的20-50nm纳米结构电子束曝光技术”和“化合物纳米器件研究”；国家自然科学重大项目 “半导体纳米材料的可控有序生长”、“半导体纳米电子器件及其集成技术”及 “纳米电子束曝光中的散射参数模型研究”、“纳米级电子束曝光工艺研究”“纳米标准物质研究”等。并从事先进掩模制造技术、下一代光刻技术与纳米结构器件的前沿技术的研制和开发工作。